| 系统特性 |
| 1. |
一 个 16 位定时器 |
| 2. |
两个 8 位硬件 PWM 生成器 |
| 3. |
三个 11 位硬件 PWM 生成器 (PWMG0, PWMG1 & PWMG2) |
| 4. |
提供 1.20V 基准电压的 Band-gap 电路 |
| 5. |
最多 13 通道 12 位分辨率 ADC，其中一个通道来自内部 Band-gap 基准电压或 0.375*VDD |
| 6. |
ADC 基准高电压：外部输入，内部 VDD， Band-gap 1.20V、 2.2V、 2.4V、 2.68V |
| 7. |
最多 18 个 IO 引脚，可选上拉电阻和下拉电阻 |
| 8. |
18 个 IO 引脚 驱动能力，驱动电流 = 30 / 60mA（强），灌电流 = 20mA |
| 9. |
每个 IO 引脚均可配置为启用唤醒功能 |
| 10. |
内置 VDD/2 LCD，可提供最大 4x9 点阵 LCD显示 |
| 11. |
时钟源： IHRC, ILRC |
| 12. |
一个低功耗时钟（NILRC）定期唤醒 stopsys |
| 13. |
对于每个启用唤醒功能的 IO，都支持两种可选的唤醒速度：正常和快速 |
| 14. |
LVR 范围: 1.8V ~4.5V |
| 15. |
按代码选项设置的外部中断引脚 |
| 16. |
VCC 输入范围: 4.3V ~ 20V |
| 17. |
可程序设计充电电流高达 500mA |
| 18. |
提供具有热调节功能的 CC/CV 操作，最大限度地提高充电速率，同时避免过热风险 |
| 19. |
传感器两个主要功能：麦克风电容感测（MCS）与加热电阻感测（HRS） |
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1. MCS 支持互电容范围为 10pF 至 24pF，并且： |
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a. 当互电容 C = 10pF 时，典型侦测噪声为 21 LSB |
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b. 当互电容 C = 24pF 时，典型侦测噪声为 22 LSB |
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2. MCS 支持 MEMS 电容，并且： |
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a. 当 MEMS 电容 C = 1.4pF 时，典型侦测噪声为 20 LSB |
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3. HRS 支持的电阻范围为 0.5Ω 至 1.5Ω，并能侦测 0.1Ω 的电阻变化 |
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| CPU 特性 |
| 1. |
8位高性能 RISC CPU |
| 2. |
提供93 个有效指令 |
| 3. |
1T(单周期)指令 |
| 4. |
可程序设定的堆栈指针和堆栈深度 |
| 5. |
数据存取支持直接和间接寻址模式,用数据存取器即可当作间接寻址模式的数据指针(index pointer) |
| 6. |
IO地址以及存储地址空间互相独立 |
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